IPT007N06N
Цена от:
182,95 руб.
Нет в наличии
Описание IPT007N06N
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 300 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | HSOF |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 375 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Прямое напряжение диода | 1V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.58мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 216 нКл при 10 В |
| Ширина | 10.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Высота | 2.4мм |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPT007N06N
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 324 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1627 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 765 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 476 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара