BSC190N15NS3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC190N15NS3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHANNEL 150V 50A TDSON8
В упаковке:
5000 шт
Цена от:
54,49 руб.
Нет в наличии
Описание BSC190N15NS3 G
| Тип | OptiMOS 3 Power-Transistor |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5.9 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.27 mm |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 53 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 29 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC190N15NS3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара