IRL80HS120
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRL80HS120
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 80V, 12.5A, 11.5W, PQFN
В упаковке:
4000 шт
Цена от:
48,40 руб.
Нет в наличии
Описание IRL80HS120
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 164.660 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | PQFN-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 11.5 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 9.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.6 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRL80HS120
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара