BSC160N10NS3G
Цена от:
67,72 руб.
Внешние склады
-
106+ 154+ 308+ 1536+82,69 ₽ 71,31 ₽ 69,51 ₽ 67,72 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 106Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC160N10NS3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 42 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 33 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 60 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 5.35мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 19 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Ширина | 6.35мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC160N10NS3G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара