IPP052N06L3G
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
105,67 руб.
Нет в наличии
Описание IPP052N06L3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 4,7 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2.2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 115 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.36мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 37 нКл при 4,5 В |
| Высота | 15.95мм |
| Ширина | 4.57мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPP052N06L3G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
