IKW15N120T2
Цена от:
188,00 руб.
Внешние склады
-
40+ 57+ 114+223,65 ₽ 192,86 ₽ 188,00 ₽Срок:25 днейНаличие:510Минимум:Мин: 40Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IKW15N120T2
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 30 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 235 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Емкость затвора | 1000пФ |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Номинальная энергия | 2.8mJ |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW15N120T2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара