IKW50N65F5
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IKW50N65F5
Производитель:
Описание Eng:
650V 80A 305W TO247
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
153,00 руб.
Внешние склады
-
3+ 6+ 13+ 100+916,27 ₽ 872,64 ₽ 858,10 ₽ 807,19 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 3Количество в заказ
-
47+ 68+ 136+ 680+186,84 ₽ 161,12 ₽ 157,06 ₽ 153,00 ₽Срок:25 днейНаличие:1 656Минимум:Мин: 47Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IKW50N65F5
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 305 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Емкость затвора | 3000пФ |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Номинальная энергия | 0.65mJ |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW50N65F5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара