IPP041N04N G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPP041N04N G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
66,40 руб.
Внешние склады
-
111+ 161+ 322+78,99 ₽ 68,11 ₽ 66,40 ₽Срок:25 днейНаличие:1 550Минимум:Мин: 111Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPP041N04N G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 4.4 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 4.8 ns |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 94 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPP041N04N G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара