IPD50N06S2L13ATMA2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD50N06S2L13ATMA2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 55V, 175°C, 136W
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
127,20 руб.
Нет в наличии
Описание IPD50N06S2L13ATMA2
| Технология | Si |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Qg - заряд затвора | 69 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 29 ns |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD50N06S2L13ATMA2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 260 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара