BSC026N08NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC026N08NS5ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TDSON
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
70,80 руб.
Внешние склады
-
103+ 152+ 304+ 1517+86,46 ₽ 74,58 ₽ 72,72 ₽ 70,80 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 103Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC026N08NS5ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 5 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5.9 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.27 mm |
| Упаковка / блок | PG-TDSON-8 |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Время спада | 16 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Qg - заряд затвора | 74 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S |
| Средства разработки | EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7, EVAL_800W_ZVS_FB_CFD7 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка BSC026N08NS5ATMA1
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2457 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара