IPD180N10N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD180N10N3GATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 100V, 43A, TO-252-3
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
51,12 руб.
Внешние склады
-
142+ 206+ 412+ 2058+62,42 ₽ 53,83 ₽ 52,47 ₽ 51,12 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 142Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPD180N10N3GATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 71 W |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 43 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD180N10N3GATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 132 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара