IPP086N10N3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPP086N10N3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
38,04 руб.
Внешние склады
-
194+ 281+ 562+45,25 ₽ 39,02 ₽ 38,04 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 194Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPP086N10N3 G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 4.4 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 42 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPP086N10N3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара