IPB60R099P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPB60R099P7ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 31A, TO-263
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
180,45 руб.
Нет в наличии
Описание IPB60R099P7ATMA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 117 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 1.561 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 89 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPB60R099P7ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара