BSZ180P03NS3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSZ180P03NS3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
28,62 руб.
Внешние склады
-
251+ 364+ 730+ 3639+34,94 ₽ 30,14 ₽ 29,38 ₽ 28,62 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 251Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSZ180P03NS3 G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS P3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 3.3 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 3.3 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 39.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSZ180P03NS3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара