IPT020N10N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPT020N10N5ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 260A, 175°C, 273W
В упаковке:
2000 шт
Цена от:
1 178,54 руб.
Нет в наличии
Описание IPT020N10N5ATMA1
| Упаковка / блок | HSOF-8 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.233 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 273 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 260 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.8 V |
| Qg - заряд затвора | 122 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 120 S |
| Время спада | 17 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 49 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPT020N10N5ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара