IPT111N20NFDATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPT111N20NFDATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 200V, 96A, HSOF-8
В упаковке:
2000 шт
Цена от:
1 129,81 руб.
Нет в наличии
Описание IPT111N20NFDATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS Fast Diode |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 65 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Упаковка / блок | PG-HSOF-8 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 82 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPT111N20NFDATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара