BSC0910NDIATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC0910NDIATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 40A, TISON-8
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
329,14 руб.
Внешние склады
-
22+ 32+ 63+ 311+ 1552+409,19 ₽ 352,86 ₽ 343,96 ₽ 335,07 ₽ 329,14 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 22Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC0910NDIATMA1
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Вес изделия | 101.820 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TISON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5.9 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.27 mm |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время спада | 2.4 ns, 4.1 ns |
| Время нарастания | 3.6 ns, 5.6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms, 900 uOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 6.6 nC, 30.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns, 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.4 ns, 5.6 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 42 S, 85 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC0910NDIATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара