IPB020NE7N3G

Код товара: 921316

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IPB020NE7N3G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 120A 75V OPTIMOS3 TO263
Нормоупаковка:
1000 шт

Описание IPB020NE7N3G

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

BrandInfineon
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока120 A
Максимальное напряжение сток-исток75 В
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов3
Максимальное сопротивление сток-исток2 мΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения3.8V
Минимальное пороговое напряжение включения2.3V
Максимальное рассеяние мощности300 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС1
СерияOptiMOS 3
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+175 °C
Материал транзистораКремний
Длина10.31мм
Типичный заряд затвора при Vgs155 нКл при 10 В
Высота4.57мм
Ширина9.45мм

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IPB020NE7N3G в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 194
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 1197
Почта России
от 1 раб. дня
от 429
СДЭК
от 2 раб. дней
от 243
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.