IPB110N20N3LFATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPB110N20N3LFATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 200V, 88A, 250W, TO-263
В упаковке:
1000 шт
Цена от:
814,38 руб.
Нет в наличии
Описание IPB110N20N3LFATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | Optimos 5 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | Optimos |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 26 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 88 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 76 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPB110N20N3LFATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара