BSZ019N03LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSZ019N03LSATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 30V, 149A, TSDSON-FL-8
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
67,92 руб.
Нет в наличии
Описание BSZ019N03LSATMA1
| Технология | Si |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Вес изделия | 120 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 69 W |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 149 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 4.6 ns |
| Время нарастания | 6.8 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 S |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.4 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSZ019N03LSATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара