IPP048N12N3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPP048N12N3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHANNEL 120V 100A OPTIMOS TO220
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
211,31 руб.
Нет в наличии
Описание IPP048N12N3 G
| Тип | OptiMOS 3 Power-Transistor |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 137 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 162 S, 81 S |
| Типичное время задержки выключения | 64 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPP048N12N3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара