IPP034NE7N3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPP034NE7N3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
Нормоупаковка:
500 шт
Цена от:
394,19 руб.
Внешние склады
-
18+ 26+ 52+ 259+481,40 ₽ 415,12 ₽ 404,66 ₽ 394,19 ₽Срок:25 днейНаличие:500Минимум:Мин: 18Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPP034NE7N3 G
| Тип | OptiMOS 3 Power-Transistor |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 4.4 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 85 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 S, 75 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPP034NE7N3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара