BSC252N10NSF G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC252N10NSF G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
82,56 руб.
Внешние склады
-
182+ 252+ 3323+86,94 ₽ 84,75 ₽ 82,56 ₽Срок:26 днейНаличие:3 323Минимум:Мин: 182Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC252N10NSF G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5.9 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.27 mm |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC252N10NSF G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара