IPN80R1K4P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPN80R1K4P7ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 800V, 4A, 7W, SOT-223
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
52,80 руб.
Внешние склады
-
138+ 200+ 399+ 1992+64,47 ₽ 55,60 ₽ 54,20 ₽ 52,80 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 138Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPN80R1K4P7ATMA1
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | CoolMOS P7 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 116.490 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 7 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPN80R1K4P7ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара