IGT60R190D1SATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IGT60R190D1SATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IGT60R190D1SATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | CoolGaN |
| Упаковка / блок | PG-HSOF-8 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 55.5 W |
| Технология | GaN |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Qg - заряд затвора | 3.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.9 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IGT60R190D1SATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 712 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 3038 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1628 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 1201 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 657 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара