IPAN70R360P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPAN70R360P7SXKSA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 700V, 150°C, 26.5W
В упаковке:
50 шт
Цена от:
206,05 руб.
Нет в наличии
Описание IPAN70R360P7SXKSA1
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | CoolMOS P7 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26.5 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Qg - заряд затвора | 16.4 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPAN70R360P7SXKSA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара