IPB019N06L3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPB019N06L3GATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
227,40 руб.
Нет в наличии
Описание IPB019N06L3GATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 10 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 4.4 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 166 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 113 S |
| Время спада | 38 ns |
| Время нарастания | 79 ns |
| Типичное время задержки выключения | 131 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPB019N06L3GATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 187 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара