IPN50R950CEATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPN50R950CEATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 500V, 6.6A, SOT-223
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
35,40 руб.
Нет в наличии
Описание IPN50R950CEATMA1
| Серия | CoolMOS CE |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Высота | 1.6 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 112 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.22 Ohms |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Время спада | 19.5 ns |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPN50R950CEATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 436 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1312 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 473 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 266 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара