IKW50N65ES5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IKW50N65ES5XKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247
В упаковке:
30 шт
Цена от:
260,96 руб.
Внешние склады
-
5+ 19+ 37+ 106+296,22 ₽ 282,12 ₽ 277,42 ₽ 260,96 ₽Срок:7 днейНаличие:106Минимум:Мин: 5Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IKW50N65ES5XKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 274 Вт |
| Количество транзисторов | 1 |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 30кГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Емкость затвора | 3100пФ |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Номинальная энергия | 1.78mJ |
| Страна происхождения | CN |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW50N65ES5XKSA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара