IPD60R210CFD7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD60R210CFD7ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, 600V, 12A, 150°C, 64W
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
195,94 руб.
Внешние склады
-
37+ 54+ 108+ 537+239,29 ₽ 206,35 ₽ 201,15 ₽ 195,94 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 37Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPD60R210CFD7ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 389.200 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 64 W |
| Время спада | 75 ns |
| Время нарастания | 16.5 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD60R210CFD7ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара