YJQ10N02A, Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ

Код товара: 935404

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
YJQ10N02A
Производитель:
Описание Eng:
20V 13A 7.8m-@4.5V,13A 2.2W 620mV@250uA 117pF@10V N Channel 888pF@10V 11.05nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN2020-6L MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
3000 шт

Описание YJQ10N02A

Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка YJQ10N02A , Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.