YJG80G06B, Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
YJG80G06B
Производитель:
Описание Eng:
PDFN5060 MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
14,45 руб.
Внешние склады
-
44+ 71+ 357+ 714+ 3881+16,92 ₽ 16,40 ₽ 15,62 ₽ 15,36 ₽ 14,45 ₽Срок:5 днейНаличие:3 881Минимум:Мин: 44Количество в заказ
-
124+ 179+ 358+ 1790+71,75 ₽ 61,87 ₽ 60,31 ₽ 58,75 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 124Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание YJG80G06B
Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка YJG80G06B , Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара