YJS12G10A, Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ

Код товара: 935469

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
YJS12G10A
Производитель:
Описание Eng:
SOP-8 MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
4000 шт

Описание YJS12G10A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка YJS12G10A , Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.