YJS12G10A, Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ
Цена от:
12,04 руб.
Внешние склады
-
65+ 88+ 438+ 876+ 5636+14,10 ₽ 13,67 ₽ 13,02 ₽ 12,80 ₽ 12,04 ₽Срок:5 днейНаличие:5 636Минимум:Мин: 65Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание YJS12G10A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка YJS12G10A , Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 250 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара