MMDT5551, Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN+NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 150 мВ, Ток коллектора 10 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Код товара: 936248

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MMDT5551
Производитель:
Описание Eng:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 0.2A 300MHz 0.2W Surface Mount SOT-363
Нормоупаковка:
3000 шт

Описание MMDT5551

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN+NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 150 мВ, Ток коллектора 10 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MMDT5551 , Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN+NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 150 мВ, Ток коллектора 10 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.