MJD45H11J, Транзистор одиночный биполярный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
MJD45H11J
Производитель:
Описание Eng:
80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor
В упаковке:
2500 шт
Цена от:
33,99 руб.
Нет в наличии
Описание MJD45H11J
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 316.843 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 16 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MJD45H11J
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара