MJD31CJ, Транзистор одиночный биполярный

Код товара: 956135

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD31CJ
Производитель:
Описание Eng:
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
Нормоупаковка:
2500 шт

Описание MJD31CJ

УпаковкаReel, Cut Tape
Вес изделия316.353 mg
ECCNEAR99
Упаковка / блокDPAK-3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
КонфигурацияSingle
Pd - рассеивание мощности15 W
ТехнологияSi
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.50
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)10
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD31CJ в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.