PSMN1R0-40SSHJ, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
PSMN1R0-40SSHJ
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 40V, 325A, 375W, LFPAK88; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:325A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00088ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
В упаковке:
2000 шт
Цена от:
562,91 руб.
Нет в наличии
Описание PSMN1R0-40SSHJ
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 346.070 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | LFPAK88-4 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 325 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Qg - заряд затвора | 137 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 19 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 26 ns |
| Типичное время задержки выключения | 59 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PSMN1R0-40SSHJ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 235 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара