PSMN2R0-25YLDX, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
PSMN2R0-25YLDX
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.00182ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6
В упаковке:
1500 шт
Цена от:
137,67 руб.
Нет в наличии
Описание PSMN2R0-25YLDX
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Вес изделия | 81 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | LFPAK56-5 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 115 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.82 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 12.4 ns |
| Время нарастания | 18.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15.7 ns |
| Qg - заряд затвора | 34.1 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PSMN2R0-25YLDX
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 230 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара