2N7002NXBKR, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
2N7002NXBKR
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 60V, 0.27A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Po
В упаковке:
3000 шт
Цена от:
2,00 руб.
Нет в наличии
Описание 2N7002NXBKR
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 7.493 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 270 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Время спада | 2.9 ns |
| Время нарастания | 4.3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 6.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2N7002NXBKR
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 230 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара