DMN2015UFDF-7, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
12,25 руб.
Нет в наличии
Описание DMN2015UFDF-7
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7.4 ns |
| Время нарастания | 6.9 ns |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.7 ns |
| Qg - заряд затвора | 19.3 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN2015UFDF-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара