DMN31D5UFZ-7B, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN31D5UFZ-7B
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R
Нормоупаковка:
10000 шт
Цена от:
11,04 руб.
Внешние склады
-
652+ 945+ 1897+ 9454+13,47 ₽ 11,62 ₽ 11,33 ₽ 11,04 ₽Срок:25 днейНаличие:10 000Минимум:Мин: 652Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN31D5UFZ-7B
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | X2-DFN0606-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN31 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 393 mW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 220 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 6.9 ns |
| Время нарастания | 2 ns |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.1 ns |
| Qg - заряд затвора | 350 pC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN31D5UFZ-7B
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара