DMN10H170SVT-7, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN10H170SVT-7
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
7,79 руб.
Внешние склады
-
924+ 1351+ 2679+ 13406+9,51 ₽ 8,20 ₽ 8,00 ₽ 7,79 ₽Срок:25 днейНаличие:15 000Минимум:Мин: 924Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN10H170SVT-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOT-26-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN10 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 115 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN10H170SVT-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара