DMN2005UFG-13, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN2005UFG-13
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
44,03 руб.
Внешние склады
-
163+ 237+ 473+ 2363+53,76 ₽ 46,36 ₽ 45,20 ₽ 44,03 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 163Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN2005UFG-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN2005 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2.27 W |
| Вес изделия | 72 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 38 ns |
| Время нарастания | 25.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 114 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
| Qg - заряд затвора | 68.8 nC |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN2005UFG-13
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара