DMN10H170SFDE-7, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
19,41 руб.
Внешние склады
-
370+ 540+ 1073+ 5365+23,70 ₽ 20,44 ₽ 19,92 ₽ 19,41 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 370Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN10H170SFDE-7
| Серия | DMN10 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 6.750 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 2.03 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN10H170SFDE-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара