DMN10H099SFG-7, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN10H099SFG-7
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
49,47 руб.
Внешние склады
-
145+ 211+ 421+ 2103+60,40 ₽ 52,09 ₽ 50,78 ₽ 49,47 ₽Срок:25 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 145Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN10H099SFG-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN10 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 980 mW |
| Вес изделия | 72 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 54 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7.3 ns |
| Время нарастания | 5.9 ns |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.4 ns |
| Qg - заряд затвора | 25.2 nC |
| Коммерческое обозначение | PowerDI |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN10H099SFG-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 147 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара