DMN62D1SFB-7B, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN62D1SFB-7B
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R
Нормоупаковка:
10000 шт
Цена от:
4,18 руб.
Внешние склады
-
1728+ 2530+ 5013+ 25063+5,10 ₽ 4,40 ₽ 4,29 ₽ 4,18 ₽Срок:25 днейНаличие:30 000Минимум:Мин: 1 728Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN62D1SFB-7B
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN62D1SFB |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 470 mW |
| Вес изделия | 1 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 410 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |
| Время спада | 11.96 ns |
| Время нарастания | 4.93 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.89 ns |
| Qg - заряд затвора | 2.8 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN62D1SFB-7B
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара