DMN63D8LW-7, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN63D8LW-7
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
3,32 руб.
Внешние склады
-
2181+ 3164+ 6358+ 31636+4,04 ₽ 3,49 ₽ 3,40 ₽ 3,32 ₽Срок:25 днейНаличие:36 000Минимум:Мин: 2 181Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN63D8LW-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN63 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| Вес изделия | 5 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 380 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Время спада | 16.7 ns |
| Время нарастания | 3.9 ns |
| Типичное время задержки выключения | 11.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.3 ns |
| Qg - заряд затвора | 0.9 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN63D8LW-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара