DMTH8012LPSW-13, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMTH8012LPSW-13
Производитель:
Описание Eng:
80V 53.7A 23.5mOhm@4.5V,6A 83.3W 3V 1 N-Channel DFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
47,08 руб.
Внешние склады
-
153+ 221+ 442+ 2210+57,49 ₽ 49,58 ₽ 48,33 ₽ 47,08 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 153Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMTH8012LPSW-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 83.3 W |
| Вес изделия | 97 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 53.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 3.5 ns |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 16.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.9 ns |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMTH8012LPSW-13
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара