DMN13H750S-7, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DMN13H750S-7
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
13,38 руб.
Внешние склады
-
537+ 779+ 1564+ 7786+16,34 ₽ 14,09 ₽ 13,74 ₽ 13,38 ₽Срок:25 днейНаличие:9 000Минимум:Мин: 537Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DMN13H750S-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN13 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.26 W |
| Вес изделия | 8 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 130 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 750 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 1.7 ns |
| Время нарастания | 1.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 6.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.3 ns |
| Qg - заряд затвора | 5.6 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DMN13H750S-7
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара